特点
高效率的截面研磨
IM4000II配备截面研磨能力达到500 µm/h*1以上的高效率离子枪。因此，即使是硬质材料，也可以高效地制备出截面样品。
*1在加速电压6 kV下，将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的最大深度
样品：Si片（2 mm厚）
加速电压：6.0 kV
摆动角度：±30°
研磨时间：1小时
截面研磨时如果摆动的角度发生变化，加工的宽度和深度也会发生变化。下图为Si片在摆动角度为±15°下进行截面研磨后的结果。除摆动角度以外，其他条件与上述加工条件一致。通过与上面结果进行对比后，可发现加工的深度变深。
对于观察目标位于深处的样品来说，能够对样品进行更快速的截面研磨。
样品：Si片（2 mm厚）
加速电压：6.0 kV
摆动角度：±15°
研磨时间：1小时
复合型研磨仪
截面研磨
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即使是由不同硬度以及研磨速度材质所构成的复合材料，也可以通过IM4000Ⅱ制备出平滑的研磨面
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优化加工条件，降低因离子束所致样品的损伤
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可装载最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的样品
截面研磨的主要用途
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金属以及复合材料、高分子材料等样品的截面制备
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含有裂缝和空隙等特定位置的样品截面制备
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多层样品的截面制备以及对样品EBSD分析的前处理
平面研磨
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直径约为5mm范围内的均匀加工
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应用领域广泛
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最大可装载直径50 mm × 高度25 mm的样品
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可选择旋转和摆动（±60度，±90度的摆动）2种加工方法
平面研磨的主要用途
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去除机械研磨中难以消除的细小划痕和形变
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去除样品表层部分
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消除因FIB加工所致的损伤层
选配项
低温控制功能*1
将液氮装入杜瓦罐中，以此作为冷却源间接冷却样品。IM4000Ⅱ配有温度调节控制功能，以防止树脂和橡胶样品过冷。
常温研磨
冷却研磨（-100℃）
真空转移功能
离子研磨加工后的样品可以在不接触空气的状态下直接转移到SEM*1、AFM*2上。真空转移功能与低温控制功能可同时使用。（平面研磨真空转移功能不适用低温控制功能）。
*1仅支持带有真空转移交换仓的日立FE-SEM
*2仅支持真空型日立AFM。
观察加工过程的体式显微镜
右图为用于观察样品加工过程的体式显微镜。搭载了CCD相机的三目型显微镜能够在显示器上进行观察。也可配置双目型体式显微镜。
规格
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主要内容
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使用气体
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氩气
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氩气流量控制方式
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质量流量控制
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加速电压
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0.0 ～ 6.0 kV
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尺寸
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616(W) × 736(D) × 312(H) mm
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重量
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主机53 kg＋机械泵30 kg
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截面研磨
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最快研磨速度（Si材料）
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500 µm/h*1以上
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最大样品尺寸
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20(W）×12(D）×7（H）mm
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样品移动范围
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X±7 mm、Y 0 ～+3 mm
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离子束间歇加工功能
开启/关闭 时间设定范围
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1秒 ～ 59分59秒
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摆动角度
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±15°、±30°、±40°
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广域截面研磨功能
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平面研磨
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最大加工范围
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φ32 mm
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最大样品尺寸
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Φ50 X 25 (H) mm
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样品移动范围
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X 0～＋5 mm
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离子束间歇加工功能
开启/关闭 时间设定范围
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1秒 ～ 59分59秒
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旋转速度
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1 rpm、25 rpm
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摆动角度
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±60°、± 90°
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倾斜角度
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0 ～ 90°
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*1将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度。
选配项
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项目
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内容
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低温控制功能*2
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通过液氮间接冷却样品，温度设定范围：0°C ～ －100°C
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超硬遮挡板
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使用时间约为标准遮挡板的2倍（不含钴）
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加工过程观察用显微镜
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放大倍数 15× ～ 100× 双目型、三目型（可装CCD）
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*2需与主机同时订购。冷却温度控制功能在使用时，部分功能可能使用有限。
