特点
运用高对比度，实时SEM观察和加工终点检测功能，可制备厚度小于20 nm的超薄样品
FIB加工时的实时SEM观察*2例
样品：NAND闪存
加速电压：1 kV
FOV：0.6 µm
加工方向控制技术（Micro-sampling®*3系统（选配）+高精度/高速样品台*）对于抑制窗帘效应的产生，以及制作厚度均一的薄膜类样品给予厚望。
加工方向控制
常规加工时
Triple Beam®*1（选配）可提高加工效率，并能使消除FIB损伤自动化
EB：Electron Beam（电子束）
FIB：Focused Ion Beam（聚焦离子束）
Ar：Ar ion beam（Ar离子束）
规格
|
项目
|
内容
|
|
FIB镜筒
|
|
分辨率
|
4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
|
|
加速电压
|
0.5～30 kV
|
|
束流
|
0.05 pA ～ 100 nA
|
|
FE-SEM镜筒
|
|
分辨率
|
2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV
|
|
加速电压
|
0.5～30 kV
|
|
电子枪
|
冷场场发射型
|
|
探测器
|
|
標準検出器
|
In-lens 二次电子探测器/样品室二次电子探测器/背散射电子探测器
|
|
样品台
|
X：0 ～ 205 mm
Y：0 ～ 205 mm
Z：0 ～ 10 mm
R：0 ～ 360°连续
T：-5 ～ 60°
|
